TPH6R30ANL,L1Q

Número da peça do fabricante:	TPH6R30ANL,L1Q
Fabricante:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Parte da descrição:	MOSFET N-CH 100V 66A/45A 8SOP
Folhas de dados:	TPH6R30ANL,L1Q Folhas de dados
Status livre de chumbo / Status RoHS:	Chumbo Livre / Compatível com RoHS
Condição de estoque:	Em estoque
Vindo de:	Hong Kong
Forma de Remessa:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Especificação

Modelo	Descrição
Series	U-MOSVIII-H
Pacote	Tape & Reel (TR)
Status da peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	100 V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) a 25 ° C	66A (Ta), 45A (Tc)
Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds ligado (máx.) @ Id, Vgs	6.3mOhm @ 22.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 500µA
Carga do portão (Qg) (máx.) @ Vgs	55 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	4300 pF @ 50 V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	2.5W (Ta), 54W (Tc)
Temperatura de operação	150°C
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivo do fornecedor	8-SOP Advance (5x5)
Embalagem / Caixa	8-PowerVDFN

OPÇÕES DE COMPRA

Status do estoque: Envio no mesmo dia

Mínimo: 1

Quantidade	Preço unitário	Ramal Preço
Preço não disponível, RFQ

Cálculo de frete

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Expresso: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Frete grátis nos primeiros 0,5 kg para pedidos acima de $ 150, o excesso de peso será cobrado separadamente

Modelos populares

	TPH6R003NL,LQ Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
	TPH6400ENH,L1Q Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
	TPH6R30ANL,L1Q Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
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