RDD023N50TL

Número da peça do fabricante:	RDD023N50TL
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Parte da descrição:	MOSFET N-CH 500V 2A CPT3
Folhas de dados:	RDD023N50TL Folhas de dados
Status livre de chumbo / Status RoHS:	Chumbo Livre / Compatível com RoHS
Condição de estoque:	Em estoque
Vindo de:	Hong Kong
Forma de Remessa:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Especificação

Modelo	Descrição
Series	-
Pacote	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Status da peça	Not For New Designs
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	500 V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) a 25 ° C	2A (Tc)
Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Rds ligado (máx.) @ Id, Vgs	5.4Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (máx.) @ Vgs	11 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	151 pF @ 25 V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	20W (Tc)
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivo do fornecedor	CPT3
Embalagem / Caixa	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

OPÇÕES DE COMPRA

Status do estoque: 3

Mínimo: 1

Quantidade	Preço unitário	Ramal Preço
Preço não disponível, RFQ

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