BSP613PH6327XTSA1

Número da peça do fabricante:	BSP613PH6327XTSA1
Fabricante:	IR (Infineon Technologies)
Parte da descrição:	MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT223-4
Folhas de dados:	BSP613PH6327XTSA1 Folhas de dados
Status livre de chumbo / Status RoHS:	Chumbo Livre / Compatível com RoHS
Condição de estoque:	Em estoque
Vindo de:	Hong Kong
Forma de Remessa:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificação

Modelo	Descrição
Series	SIPMOS®
Pacote	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Status da peça	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	60 V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) a 25 ° C	2.9A (Ta)
Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds ligado (máx.) @ Id, Vgs	130mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (máx.) @ Vgs	33 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	875 pF @ 25 V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	1.8W (Ta)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivo do fornecedor	PG-SOT223-4
Embalagem / Caixa	TO-261-4, TO-261AA

OPÇÕES DE COMPRA

Status do estoque: Envio no mesmo dia

Mínimo: 1

Quantidade	Preço unitário	Ramal Preço
Preço não disponível, RFQ

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