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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation / TPN4R712MD,L1Q

TPN4R712MD,L1Q

Número da peça do fabricante: TPN4R712MD,L1Q
Fabricante: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Parte da descrição: MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON
Folhas de dados: TPN4R712MD,L1Q Folhas de dados
Status livre de chumbo / Status RoHS: Chumbo Livre / Compatível com RoHS
Condição de estoque: Em estoque
Vindo de: Hong Kong
Forma de Remessa: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
OBSERVAÇÃO
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package

Especificação
Modelo Descrição
SeriesU-MOSVI
PacoteTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Status da peçaActive
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)20 V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) a 25 ° C36A (Tc)
Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds ligado (máx.) @ Id, Vgs4.7mOhm @ 18A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.2V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (máx.) @ Vgs65 nC @ 5 V
Vgs (máx.)±12V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds4300 pF @ 10 V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)42W (Tc)
Temperatura de operação150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de dispositivo do fornecedor8-TSON Advance (3.3x3.3)
Embalagem / Caixa8-PowerVDFN
OPÇÕES DE COMPRA

Status do estoque: 6602

Mínimo: 1

Quantidade Preço unitário Ramal Preço

Preço não disponível, RFQ

Cálculo de frete

US $ 40 pela FedEx.

Chegue em 3-5 dias

Expresso: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Frete grátis nos primeiros 0,5 kg para pedidos acima de $ 150, o excesso de peso será cobrado separadamente

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