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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation / TPWR6003PL,L1Q

TPWR6003PL,L1Q

Número da peça do fabricante: TPWR6003PL,L1Q
Fabricante: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Parte da descrição: MOSFET N-CH 30V 150A 8DSOP
Folhas de dados: TPWR6003PL,L1Q Folhas de dados
Status livre de chumbo / Status RoHS: Chumbo Livre / Compatível com RoHS
Condição de estoque: Em estoque
Vindo de: Hong Kong
Forma de Remessa: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
OBSERVAÇÃO
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package

Especificação
Modelo Descrição
SeriesU-MOSIX-H
PacoteTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Status da peçaActive
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)30 V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) a 25 ° C150A (Tc)
Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds ligado (máx.) @ Id, Vgs600µOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.1V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (máx.) @ Vgs110 nC @ 10 V
Vgs (máx.)±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds10000 pF @ 15 V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)960mW (Ta), 170W (Tc)
Temperatura de operação175°C
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de dispositivo do fornecedor8-DSOP Advance
Embalagem / Caixa8-PowerWDFN
OPÇÕES DE COMPRA

Status do estoque: 16059

Mínimo: 1

Quantidade Preço unitário Ramal Preço

Preço não disponível, RFQ

Cálculo de frete

US $ 40 pela FedEx.

Chegue em 3-5 dias

Expresso: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Frete grátis nos primeiros 0,5 kg para pedidos acima de $ 150, o excesso de peso será cobrado separadamente

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