STB6NK60Z-1

Número da peça do fabricante:	STB6NK60Z-1
Fabricante:	STMicroelectronics
Parte da descrição:	MOSFET N-CH 600V 6A I2PAK
Folhas de dados:	STB6NK60Z-1 Folhas de dados
Status livre de chumbo / Status RoHS:	Chumbo Livre / Compatível com RoHS
Condição de estoque:	Em estoque
Vindo de:	Hong Kong
Forma de Remessa:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificação

Modelo	Descrição
Series	SuperMESH™
Pacote	Tube
Status da peça	Not For New Designs
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	600 V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) a 25 ° C	6A (Tc)
Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds ligado (máx.) @ Id, Vgs	1.2Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 100µA
Carga do portão (Qg) (máx.) @ Vgs	46 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	30V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	905 pF @ 25 V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	110W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de dispositivo do fornecedor	I2PAK
Embalagem / Caixa	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

OPÇÕES DE COMPRA

Status do estoque: Envio no mesmo dia

Mínimo: 1

Quantidade	Preço unitário	Ramal Preço
Preço não disponível, RFQ

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