RFP4N100

Número da peça do fabricante:	RFP4N100
Fabricante:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Parte da descrição:	MOSFET N-CH 1000V 4.3A TO220-3
Folhas de dados:	RFP4N100 Folhas de dados
Status livre de chumbo / Status RoHS:	Chumbo Livre / Compatível com RoHS
Condição de estoque:	Em estoque
Vindo de:	Hong Kong
Forma de Remessa:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificação

Modelo	Descrição
Series	-
Pacote	Tube
Status da peça	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	1000 V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) a 25 ° C	4.3A (Tc)
Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On)	-
Rds ligado (máx.) @ Id, Vgs	3.5Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (máx.) @ Vgs	120 nC @ 20 V
Vgs (máx.)	-
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	-
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	-
Temperatura de operação	-
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de dispositivo do fornecedor	TO-220-3
Embalagem / Caixa	TO-220-3

OPÇÕES DE COMPRA

Status do estoque: Envio no mesmo dia

Mínimo: 1

Quantidade	Preço unitário	Ramal Preço
Preço não disponível, RFQ

Cálculo de frete

US $ 40 pela FedEx.

Chegue em 3-5 dias

Expresso: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Frete grátis nos primeiros 0,5 kg para pedidos acima de $ 150, o excesso de peso será cobrado separadamente

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