Vishay / Siliconix / SIDR170DP-T1-RE3
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SIDR170DP-T1-RE3
| Número da peça do fabricante: | SIDR170DP-T1-RE3 |
| Fabricante: | Vishay / Siliconix |
| Parte da descrição: | MOSFET N-CH 100V 23.2A/95A PPAK |
| Status livre de chumbo / Status RoHS: | Chumbo Livre / Compatível com RoHS |
| Condição de estoque: | Em estoque |
| Vindo de: | Hong Kong |
| Forma de Remessa: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- OBSERVAÇÃO
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Especificação
| Modelo | Descrição |
|---|---|
| Series | TrenchFET® Gen IV |
| Pacote | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
| Status da peça | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 100 V |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) a 25 ° C | 23.2A (Ta), 95A (Tc) |
| Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds ligado (máx.) @ Id, Vgs | 4.8mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Carga do portão (Qg) (máx.) @ Vgs | 140 nC @ 10 V |
| Vgs (máx.) | ±20V |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 6195 pF @ 50 V |
| Recurso FET | - |
| Dissipação de energia (máx.) | 6.25W (Ta), 125W (Tc) |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote de dispositivo do fornecedor | PowerPAK® SO-8DC |
| Embalagem / Caixa | PowerPAK® SO-8 |
Status do estoque: 5935
Mínimo: 1
| Quantidade | Preço unitário | Ramal Preço |
|---|---|---|
Preço não disponível, RFQ |
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Cálculo de frete
US $ 40 pela FedEx.
Chegue em 3-5 dias
Expresso: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Frete grátis nos primeiros 0,5 kg para pedidos acima de $ 150, o excesso de peso será cobrado separadamente
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