STWA50N65DM2AG

Número da peça do fabricante:	STWA50N65DM2AG
Fabricante:	STMicroelectronics
Parte da descrição:	MOSFET N-CH 650V 38A TO247
Status livre de chumbo / Status RoHS:	Chumbo Livre / Compatível com RoHS
Condição de estoque:	Em estoque
Vindo de:	Hong Kong
Forma de Remessa:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificação

Modelo	Descrição
Series	Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2
Pacote	Tube
Status da peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	650 V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) a 25 ° C	38A (Tc)
Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds ligado (máx.) @ Id, Vgs	87mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (máx.) @ Vgs	69 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±25V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	3200 pF @ 100 V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	300W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de dispositivo do fornecedor	TO-247
Embalagem / Caixa	TO-247-3

OPÇÕES DE COMPRA

Status do estoque: Envio no mesmo dia

Mínimo: 1

Quantidade	Preço unitário	Ramal Preço
Preço não disponível, RFQ

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