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Rochester Electronics / BSB015N04NX3GXUMA1

BSB015N04NX3GXUMA1

Número da peça do fabricante: BSB015N04NX3GXUMA1
Fabricante: Rochester Electronics
Parte da descrição: MOSFET N-CH 40V 36A/180A 2WDSON
Folhas de dados: BSB015N04NX3GXUMA1 Folhas de dados
Status livre de chumbo / Status RoHS: Chumbo Livre / Compatível com RoHS
Condição de estoque: Em estoque
Vindo de: Hong Kong
Forma de Remessa: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
OBSERVAÇÃO
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package

Especificação
Modelo Descrição
SeriesOptiMOS™
PacoteBulk
Status da peçaActive
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)40 V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) a 25 ° C36A (Ta), 180A (Tc)
Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds ligado (máx.) @ Id, Vgs1.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (máx.) @ Vgs142 nC @ 10 V
Vgs (máx.)±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds12 pF @ 20 V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)2.8W (Ta), 89W (Tc)
Temperatura de operação-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de dispositivo do fornecedorMG-WDSON-2, CanPAK M™
Embalagem / Caixa3-WDSON
OPÇÕES DE COMPRA

Status do estoque: 6089

Mínimo: 1

Quantidade Preço unitário Ramal Preço

Preço não disponível, RFQ

Cálculo de frete

US $ 40 pela FedEx.

Chegue em 3-5 dias

Expresso: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Frete grátis nos primeiros 0,5 kg para pedidos acima de $ 150, o excesso de peso será cobrado separadamente

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