SCTWA90N65G2V-4

Número da peça do fabricante:	SCTWA90N65G2V-4
Fabricante:	STMicroelectronics
Parte da descrição:	TRANS SJT N-CH 650V 119A HIP247
Status livre de chumbo / Status RoHS:	Chumbo Livre / Compatível com RoHS
Condição de estoque:	Em estoque
Vindo de:	Hong Kong
Forma de Remessa:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificação

Modelo	Descrição
Series	-
Pacote	Tube
Status da peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	SiCFET (Silicon Carbide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	650 V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) a 25 ° C	119A (Tc)
Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On)	-
Rds ligado (máx.) @ Id, Vgs	24mOhm @ 50A, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (máx.) @ Vgs	157 nC @ 18 V
Vgs (máx.)	+22V, -10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	3380 pF @ 400 V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	565W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 200°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de dispositivo do fornecedor	HiP247™ Long Leads
Embalagem / Caixa	TO-247-3

OPÇÕES DE COMPRA

Status do estoque: 63

Mínimo: 1

Quantidade	Preço unitário	Ramal Preço
Preço não disponível, RFQ

Cálculo de frete

US $ 40 pela FedEx.

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Expresso: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Frete grátis nos primeiros 0,5 kg para pedidos acima de $ 150, o excesso de peso será cobrado separadamente

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