TK155A65Z,S4X

Número da peça do fabricante:	TK155A65Z,S4X
Fabricante:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Parte da descrição:	MOSFET N-CH 650V 18A TO220SIS
Folhas de dados:	TK155A65Z,S4X Folhas de dados
Status livre de chumbo / Status RoHS:	Chumbo Livre / Compatível com RoHS
Condição de estoque:	Em estoque
Vindo de:	Hong Kong
Forma de Remessa:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificação

Modelo	Descrição
Series	DTMOSVI
Pacote	Tube
Status da peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	650 V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) a 25 ° C	18A (Ta)
Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds ligado (máx.) @ Id, Vgs	155mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 730µA
Carga do portão (Qg) (máx.) @ Vgs	29 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1635 pF @ 300 V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	40W (Tc)
Temperatura de operação	150°C
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de dispositivo do fornecedor	TO-220SIS
Embalagem / Caixa	TO-220-3 Full Pack

OPÇÕES DE COMPRA

Status do estoque: 294

Mínimo: 1

Quantidade	Preço unitário	Ramal Preço
Preço não disponível, RFQ

Cálculo de frete

US $ 40 pela FedEx.

Chegue em 3-5 dias

Expresso: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Frete grátis nos primeiros 0,5 kg para pedidos acima de $ 150, o excesso de peso será cobrado separadamente

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