TPN2010FNH,L1Q

Número da peça do fabricante:	TPN2010FNH,L1Q
Fabricante:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Parte da descrição:	MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON
Folhas de dados:	TPN2010FNH,L1Q Folhas de dados
Status livre de chumbo / Status RoHS:	Chumbo Livre / Compatível com RoHS
Condição de estoque:	Em estoque
Vindo de:	Hong Kong
Forma de Remessa:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Especificação

Modelo	Descrição
Series	U-MOSVIII-H
Pacote	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Status da peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	250 V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) a 25 ° C	5.6A (Ta)
Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds ligado (máx.) @ Id, Vgs	198mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 200µA
Carga do portão (Qg) (máx.) @ Vgs	7 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	600 pF @ 100 V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	700mW (Ta), 39W (Tc)
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivo do fornecedor	8-TSON Advance (3.3x3.3)
Embalagem / Caixa	8-PowerVDFN

OPÇÕES DE COMPRA

Status do estoque: 2244

Mínimo: 1

Quantidade	Preço unitário	Ramal Preço
Preço não disponível, RFQ

Cálculo de frete

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Expresso: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Frete grátis nos primeiros 0,5 kg para pedidos acima de $ 150, o excesso de peso será cobrado separadamente

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