GA10SICP12-263

Número da peça do fabricante:	GA10SICP12-263
Fabricante:	GeneSiC Semiconductor
Parte da descrição:	TRANS SJT 1200V 25A D2PAK
Folhas de dados:	GA10SICP12-263 Folhas de dados
Status livre de chumbo / Status RoHS:	Chumbo Livre / Compatível com RoHS
Condição de estoque:	Em estoque
Vindo de:	Hong Kong
Forma de Remessa:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificação

Modelo	Descrição
Series	-
Pacote	Tube
Status da peça	Active
Tipo FET	-
Tecnologia	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	1200 V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) a 25 ° C	25A (Tc)
Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On)	-
Rds ligado (máx.) @ Id, Vgs	100mOhm @ 10A
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Carga do portão (Qg) (máx.) @ Vgs	-
Vgs (máx.)	-
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1403 pF @ 800 V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	170W (Tc)
Temperatura de operação	175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivo do fornecedor	D2PAK (7-Lead)
Embalagem / Caixa	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

OPÇÕES DE COMPRA

Status do estoque: Envio no mesmo dia

Mínimo: 1

Quantidade	Preço unitário	Ramal Preço
Preço não disponível, RFQ

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