TK1R4F04PB,LXGQ

Número da peça do fabricante:	TK1R4F04PB,LXGQ
Fabricante:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Parte da descrição:	MOSFET N-CH 40V 160A TO220SM
Folhas de dados:	TK1R4F04PB,LXGQ Folhas de dados
Status livre de chumbo / Status RoHS:	Chumbo Livre / Compatível com RoHS
Condição de estoque:	Em estoque
Vindo de:	Hong Kong
Forma de Remessa:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Especificação

Modelo	Descrição
Series	U-MOSIX-H
Pacote	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Status da peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	40 V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) a 25 ° C	160A (Ta)
Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds ligado (máx.) @ Id, Vgs	1.9mOhm @ 80A, 6V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 500µA
Carga do portão (Qg) (máx.) @ Vgs	103 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	5500 pF @ 10 V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	205W (Tc)
Temperatura de operação	175°C
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivo do fornecedor	TO-220SM(W)
Embalagem / Caixa	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

OPÇÕES DE COMPRA

Status do estoque: 2000

Mínimo: 1

Quantidade	Preço unitário	Ramal Preço
Preço não disponível, RFQ

Cálculo de frete

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Chegue em 3-5 dias

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