R6011END3TL1

Número da peça do fabricante:	R6011END3TL1
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Parte da descrição:	MOSFET N-CH 600V 11A TO252
Status livre de chumbo / Status RoHS:	Chumbo Livre / Compatível com RoHS
Condição de estoque:	Em estoque
Vindo de:	Hong Kong
Forma de Remessa:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Especificação

Modelo	Descrição
Series	-
Pacote	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Status da peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	600 V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) a 25 ° C	11A (Tc)
Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds ligado (máx.) @ Id, Vgs	390mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (máx.) @ Vgs	32 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	670 pF @ 25 V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	124W (Tc)
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivo do fornecedor	TO-252
Embalagem / Caixa	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

OPÇÕES DE COMPRA

Status do estoque: 2510

Mínimo: 1

Quantidade	Preço unitário	Ramal Preço
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