BSM180C12P2E202

Número da peça do fabricante:	BSM180C12P2E202
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Parte da descrição:	SICFET N-CH 1200V 204A MODULE
Folhas de dados:	BSM180C12P2E202 Folhas de dados
Status livre de chumbo / Status RoHS:	Chumbo Livre / Compatível com RoHS
Condição de estoque:	Em estoque
Vindo de:	Hong Kong
Forma de Remessa:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificação

Modelo	Descrição
Series	-
Pacote	Tray
Status da peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	SiCFET (Silicon Carbide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	1200 V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) a 25 ° C	204A (Tc)
Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On)	-
Rds ligado (máx.) @ Id, Vgs	-
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 35.2mA
Carga do portão (Qg) (máx.) @ Vgs	-
Vgs (máx.)	+22V, -6V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	20000 pF @ 10 V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	1360W (Tc)
Temperatura de operação	175°C (TJ)
Tipo de montagem	Chassis Mount
Pacote de dispositivo do fornecedor	Module
Embalagem / Caixa	Module

OPÇÕES DE COMPRA

Status do estoque: 4

Mínimo: 1

Quantidade	Preço unitário	Ramal Preço
Preço não disponível, RFQ

Cálculo de frete

US $ 40 pela FedEx.

Chegue em 3-5 dias

Expresso: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Frete grátis nos primeiros 0,5 kg para pedidos acima de $ 150, o excesso de peso será cobrado separadamente

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