NTMSD3P102R2SG

Número da peça do fabricante:	NTMSD3P102R2SG
Fabricante:	Rochester Electronics
Parte da descrição:	MOSFET P-CH 20V 2.34A 8SOIC
Folhas de dados:	NTMSD3P102R2SG Folhas de dados
Status livre de chumbo / Status RoHS:	Chumbo Livre / Compatível com RoHS
Condição de estoque:	Em estoque
Vindo de:	Hong Kong
Forma de Remessa:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificação

Modelo	Descrição
Series	FETKY™
Pacote	Bulk
Status da peça	Obsolete
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	20 V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) a 25 ° C	2.34A (Ta)
Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds ligado (máx.) @ Id, Vgs	85mOhm @ 3.05A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (máx.) @ Vgs	25 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	750 pF @ 16 V
Recurso FET	Schottky Diode (Isolated)
Dissipação de energia (máx.)	730mW (Ta)
Temperatura de operação	-
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivo do fornecedor	8-SOIC
Embalagem / Caixa	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

OPÇÕES DE COMPRA

Status do estoque: 25120

Mínimo: 1

Quantidade	Preço unitário	Ramal Preço
Preço não disponível, RFQ

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