IPD16CNE8N G

Número da peça do fabricante:	IPD16CNE8N G
Fabricante:	IR (Infineon Technologies)
Parte da descrição:	MOSFET N-CH 85V 53A TO252-3
Folhas de dados:	IPD16CNE8N G Folhas de dados
Status livre de chumbo / Status RoHS:	Chumbo Livre / Compatível com RoHS
Condição de estoque:	Em estoque
Vindo de:	Hong Kong
Forma de Remessa:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificação

Modelo	Descrição
Series	OptiMOS™
Pacote	Tape & Reel (TR)
Status da peça	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	85 V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) a 25 ° C	53A (Tc)
Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds ligado (máx.) @ Id, Vgs	16mOhm @ 53A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 61µA
Carga do portão (Qg) (máx.) @ Vgs	48 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	3230 pF @ 40 V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	100W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivo do fornecedor	PG-TO252-3
Embalagem / Caixa	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

OPÇÕES DE COMPRA

Status do estoque: Envio no mesmo dia

Mínimo: 1

Quantidade	Preço unitário	Ramal Preço
Preço não disponível, RFQ

Cálculo de frete

US $ 40 pela FedEx.

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Expresso: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Frete grátis nos primeiros 0,5 kg para pedidos acima de $ 150, o excesso de peso será cobrado separadamente

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