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IR (Infineon Technologies) / SPB03N60S5ATMA1

SPB03N60S5ATMA1

Número da peça do fabricante: SPB03N60S5ATMA1
Fabricante: IR (Infineon Technologies)
Parte da descrição: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO263-3
Folhas de dados: SPB03N60S5ATMA1 Folhas de dados
Status livre de chumbo / Status RoHS: Chumbo Livre / Compatível com RoHS
Condição de estoque: Em estoque
Vindo de: Hong Kong
Forma de Remessa: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
OBSERVAÇÃO
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package

Especificação
Modelo Descrição
SeriesCoolMOS™
PacoteTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Status da peçaObsolete
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)600 V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) a 25 ° C3.2A (Tc)
Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds ligado (máx.) @ Id, Vgs1.4Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5.5V @ 135µA
Carga do portão (Qg) (máx.) @ Vgs16 nC @ 10 V
Vgs (máx.)±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds420 pF @ 25 V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)38W (Tc)
Temperatura de operação-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de dispositivo do fornecedorPG-TO263-3-2
Embalagem / CaixaTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
OPÇÕES DE COMPRA

Status do estoque: Envio no mesmo dia

Mínimo: 1

Quantidade Preço unitário Ramal Preço

Preço não disponível, RFQ

Cálculo de frete

US $ 40 pela FedEx.

Chegue em 3-5 dias

Expresso: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Frete grátis nos primeiros 0,5 kg para pedidos acima de $ 150, o excesso de peso será cobrado separadamente

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