SIHD5N50D-GE3

Número da peça do fabricante:	SIHD5N50D-GE3
Fabricante:	Vishay / Siliconix
Parte da descrição:	MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252AA
Folhas de dados:	SIHD5N50D-GE3 Folhas de dados
Status livre de chumbo / Status RoHS:	Chumbo Livre / Compatível com RoHS
Condição de estoque:	Em estoque
Vindo de:	Hong Kong
Forma de Remessa:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificação

Modelo	Descrição
Series	-
Pacote	Tube
Status da peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	500 V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) a 25 ° C	5.3A (Tc)
Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds ligado (máx.) @ Id, Vgs	1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (máx.) @ Vgs	20 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	325 pF @ 100 V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	104W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivo do fornecedor	TO-252AA
Embalagem / Caixa	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

OPÇÕES DE COMPRA

Status do estoque: 2243

Mínimo: 1

Quantidade	Preço unitário	Ramal Preço
Preço não disponível, RFQ

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