RM4P20ES6

Número da peça do fabricante:	RM4P20ES6
Fabricante:	Rectron USA
Parte da descrição:	MOSFET P-CH 20V 3A/4.1A SOT23-6
Status livre de chumbo / Status RoHS:	Chumbo Livre / Compatível com RoHS
Condição de estoque:	Em estoque
Vindo de:	Hong Kong
Forma de Remessa:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificação

Modelo	Descrição
Series	-
Pacote	Tape & Reel (TR)
Status da peça	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	20 V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) a 25 ° C	3A (Ta), 4.1A (Tc)
Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Rds ligado (máx.) @ Id, Vgs	52mOhm @ 4.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (máx.) @ Vgs	-
Vgs (máx.)	±12V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	740 pF @ 4 V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	1.7W (Ta)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivo do fornecedor	SOT-23-6
Embalagem / Caixa	SOT-23-6

OPÇÕES DE COMPRA

Status do estoque: Envio no mesmo dia

Mínimo: 1

Quantidade	Preço unitário	Ramal Preço
Preço não disponível, RFQ

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Modelos populares

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	RM4P30S6 Rectron USA

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