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Rochester Electronics / FDB6670AL

FDB6670AL

Número da peça do fabricante: FDB6670AL
Fabricante: Rochester Electronics
Parte da descrição: MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB
Folhas de dados: FDB6670AL Folhas de dados
Status livre de chumbo / Status RoHS: Chumbo Livre / Compatível com RoHS
Condição de estoque: Em estoque
Vindo de: Hong Kong
Forma de Remessa: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
OBSERVAÇÃO
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package

Especificação
Modelo Descrição
SeriesPowerTrench®
PacoteBulk
Status da peçaObsolete
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)30 V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) a 25 ° C80A (Ta)
Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds ligado (máx.) @ Id, Vgs6.5mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (máx.) @ Vgs33 nC @ 5 V
Vgs (máx.)±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds2.44 pF @ 15 V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)68W (Tc)
Temperatura de operação-65°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de dispositivo do fornecedorTO-263AB
Embalagem / CaixaTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
OPÇÕES DE COMPRA

Status do estoque: 93625

Mínimo: 1

Quantidade Preço unitário Ramal Preço

Preço não disponível, RFQ

Cálculo de frete

US $ 40 pela FedEx.

Chegue em 3-5 dias

Expresso: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Frete grátis nos primeiros 0,5 kg para pedidos acima de $ 150, o excesso de peso será cobrado separadamente

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