IRF123

Número da peça do fabricante:	IRF123
Fabricante:	Rochester Electronics
Parte da descrição:	N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Folhas de dados:	IRF123 Folhas de dados
Status livre de chumbo / Status RoHS:	Chumbo Livre / Compatível com RoHS
Condição de estoque:	Em estoque
Vindo de:	Hong Kong
Forma de Remessa:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificação

Modelo	Descrição
Series	*
Pacote	Bulk
Status da peça	Active
Tipo FET	-
Tecnologia	-
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	-
Corrente - Drenagem Contínua (Id) a 25 ° C	-
Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On)	-
Rds ligado (máx.) @ Id, Vgs	-
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Carga do portão (Qg) (máx.) @ Vgs	-
Vgs (máx.)	-
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	-
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	-
Temperatura de operação	-
Tipo de montagem	-
Pacote de dispositivo do fornecedor	-
Embalagem / Caixa	-

OPÇÕES DE COMPRA

Status do estoque: 738

Mínimo: 1

Quantidade	Preço unitário	Ramal Preço
Preço não disponível, RFQ

Cálculo de frete

US $ 40 pela FedEx.

Chegue em 3-5 dias

Expresso: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Frete grátis nos primeiros 0,5 kg para pedidos acima de $ 150, o excesso de peso será cobrado separadamente

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