CSD25213W10

Número da peça do fabricante:	CSD25213W10
Fabricante:	Texas Instruments
Parte da descrição:	MOSFET P-CH 20V 1.6A 4DSBGA
Folhas de dados:	CSD25213W10 Folhas de dados
Status livre de chumbo / Status RoHS:	Chumbo Livre / Compatível com RoHS
Condição de estoque:	Em estoque
Vindo de:	Hong Kong
Forma de Remessa:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Especificação

Modelo	Descrição
Series	NexFET™
Pacote	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Status da peça	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	20 V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) a 25 ° C	1.6A (Ta)
Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Rds ligado (máx.) @ Id, Vgs	47mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.1V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (máx.) @ Vgs	2.9 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	-6V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	478 pF @ 10 V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	1W (Ta)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivo do fornecedor	4-DSBGA (1x1)
Embalagem / Caixa	4-UFBGA, DSBGA

OPÇÕES DE COMPRA

Status do estoque: 17663

Mínimo: 1

Quantidade	Preço unitário	Ramal Preço
Preço não disponível, RFQ

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