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Número da peça do fabricante: | IPL60R650P6SATMA1 |
Fabricante: | IR (Infineon Technologies) |
Parte da descrição: | MOSFET N-CH 600V 6.7A 8THINPAK |
Folhas de dados: | IPL60R650P6SATMA1 Folhas de dados |
Status livre de chumbo / Status RoHS: | Chumbo Livre / Compatível com RoHS |
Condição de estoque: | Em estoque |
Vindo de: | Hong Kong |
Forma de Remessa: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Modelo | Descrição |
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Series | CoolMOS™ P6 |
Pacote | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
Status da peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 600 V |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) a 25 ° C | 6.7A (Tc) |
Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds ligado (máx.) @ Id, Vgs | 650mOhm @ 2.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 200µA |
Carga do portão (Qg) (máx.) @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 557 pF @ 100 V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 56.8W (Tc) |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de dispositivo do fornecedor | 8-ThinPak (5x6) |
Embalagem / Caixa | 8-PowerTDFN |
Status do estoque: 4080
Mínimo: 1
Quantidade | Preço unitário | Ramal Preço |
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Preço não disponível, RFQ |
US $ 40 pela FedEx.
Chegue em 3-5 dias
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