IR (Infineon Technologies) / IPI041N12N3GAKSA1
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IPI041N12N3GAKSA1
| Número da peça do fabricante: | IPI041N12N3GAKSA1 |
| Fabricante: | IR (Infineon Technologies) |
| Parte da descrição: | MOSFET N-CH 120V 120A TO262-3 |
| Folhas de dados: | IPI041N12N3GAKSA1 Folhas de dados |
| Status livre de chumbo / Status RoHS: | Chumbo Livre / Compatível com RoHS |
| Condição de estoque: | Em estoque |
| Vindo de: | Hong Kong |
| Forma de Remessa: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- OBSERVAÇÃO
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Especificação
| Modelo | Descrição |
|---|---|
| Series | OptiMOS™ |
| Pacote | Tube |
| Status da peça | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 120 V |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) a 25 ° C | 120A (Tc) |
| Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds ligado (máx.) @ Id, Vgs | 4.1mOhm @ 100A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 270µA |
| Carga do portão (Qg) (máx.) @ Vgs | 211 nC @ 10 V |
| Vgs (máx.) | ±20V |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 13800 pF @ 60 V |
| Recurso FET | - |
| Dissipação de energia (máx.) | 300W (Tc) |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Pacote de dispositivo do fornecedor | PG-TO262-3 |
| Embalagem / Caixa | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Status do estoque: Envio no mesmo dia
Mínimo: 1
| Quantidade | Preço unitário | Ramal Preço |
|---|---|---|
Preço não disponível, RFQ |
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Cálculo de frete
US $ 40 pela FedEx.
Chegue em 3-5 dias
Expresso: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Frete grátis nos primeiros 0,5 kg para pedidos acima de $ 150, o excesso de peso será cobrado separadamente
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