RQ6E050AJTCR

Número da peça do fabricante:	RQ6E050AJTCR
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Parte da descrição:	MOSFET N-CH 30V 5A TSMT6
Folhas de dados:	RQ6E050AJTCR Folhas de dados
Status livre de chumbo / Status RoHS:	Chumbo Livre / Compatível com RoHS
Condição de estoque:	Em estoque
Vindo de:	Hong Kong
Forma de Remessa:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificação

Modelo	Descrição
Series	-
Pacote	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Status da peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	30 V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) a 25 ° C	5A (Ta)
Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Rds ligado (máx.) @ Id, Vgs	35mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (máx.) @ Vgs	4.7 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±12V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	520 pF @ 15 V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	950mW (Ta)
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivo do fornecedor	TSMT6 (SC-95)
Embalagem / Caixa	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

OPÇÕES DE COMPRA

Status do estoque: 2442

Mínimo: 1

Quantidade	Preço unitário	Ramal Preço
Preço não disponível, RFQ

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