Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation / TPH1R712MD,L1Q
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TPH1R712MD,L1Q
| Número da peça do fabricante: | TPH1R712MD,L1Q |
| Fabricante: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| Parte da descrição: | MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP |
| Folhas de dados: | TPH1R712MD,L1Q Folhas de dados |
| Status livre de chumbo / Status RoHS: | Chumbo Livre / Compatível com RoHS |
| Condição de estoque: | Em estoque |
| Vindo de: | Hong Kong |
| Forma de Remessa: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- OBSERVAÇÃO
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| Modelo | Descrição |
|---|---|
| Series | U-MOSVI |
| Pacote | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
| Status da peça | Active |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 20 V |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) a 25 ° C | 60A (Tc) |
| Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Rds ligado (máx.) @ Id, Vgs | 1.7mOhm @ 30A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 1mA |
| Carga do portão (Qg) (máx.) @ Vgs | 182 nC @ 5 V |
| Vgs (máx.) | ±12V |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 10900 pF @ 10 V |
| Recurso FET | - |
| Dissipação de energia (máx.) | 78W (Tc) |
| Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote de dispositivo do fornecedor | 8-SOP Advance (5x5) |
| Embalagem / Caixa | 8-PowerVDFN |
Status do estoque: Envio no mesmo dia
Mínimo: 1
| Quantidade | Preço unitário | Ramal Preço |
|---|---|---|
Preço não disponível, RFQ |
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US $ 40 pela FedEx.
Chegue em 3-5 dias
Expresso: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Frete grátis nos primeiros 0,5 kg para pedidos acima de $ 150, o excesso de peso será cobrado separadamente
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