EPC2012C

Número da peça do fabricante:	EPC2012C
Fabricante:	EPC
Parte da descrição:	GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
Folhas de dados:	EPC2012C Folhas de dados
Status livre de chumbo / Status RoHS:	Chumbo Livre / Compatível com RoHS
Condição de estoque:	Em estoque
Vindo de:	Hong Kong
Forma de Remessa:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Especificação

Modelo	Descrição
Series	eGaN®
Pacote	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Status da peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	GaNFET (Gallium Nitride)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	200 V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) a 25 ° C	5A (Ta)
Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On)	5V
Rds ligado (máx.) @ Id, Vgs	100mOhm @ 3A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (máx.) @ Vgs	1.3 nC @ 5 V
Vgs (máx.)	+6V, -4V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	140 pF @ 100 V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	-
Temperatura de operação	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivo do fornecedor	Die Outline (4-Solder Bar)
Embalagem / Caixa	Die

OPÇÕES DE COMPRA

Status do estoque: 29227

Mínimo: 1

Quantidade	Preço unitário	Ramal Preço
Preço não disponível, RFQ

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