IPB35N10S3L26ATMA1

Número da peça do fabricante:	IPB35N10S3L26ATMA1
Fabricante:	IR (Infineon Technologies)
Parte da descrição:	MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
Folhas de dados:	IPB35N10S3L26ATMA1 Folhas de dados
Status livre de chumbo / Status RoHS:	Chumbo Livre / Compatível com RoHS
Condição de estoque:	Em estoque
Vindo de:	Hong Kong
Forma de Remessa:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificação

Modelo	Descrição
Series	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Pacote	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Status da peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	100 V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) a 25 ° C	35A (Tc)
Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds ligado (máx.) @ Id, Vgs	26.3mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.4V @ 39µA
Carga do portão (Qg) (máx.) @ Vgs	39 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2700 pF @ 25 V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	71W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivo do fornecedor	D²PAK (TO-263AB)
Embalagem / Caixa	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

OPÇÕES DE COMPRA

Status do estoque: Envio no mesmo dia

Mínimo: 1

Quantidade	Preço unitário	Ramal Preço
Preço não disponível, RFQ

Cálculo de frete

US $ 40 pela FedEx.

Chegue em 3-5 dias

Expresso: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Frete grátis nos primeiros 0,5 kg para pedidos acima de $ 150, o excesso de peso será cobrado separadamente

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