G2R1000MT17J

Número da peça do fabricante:	G2R1000MT17J
Fabricante:	GeneSiC Semiconductor
Parte da descrição:	SIC MOSFET N-CH 3A TO263-7
Status livre de chumbo / Status RoHS:	Chumbo Livre / Compatível com RoHS
Condição de estoque:	Em estoque
Vindo de:	Hong Kong
Forma de Remessa:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Especificação

Modelo	Descrição
Series	G2R™
Pacote	Tube
Status da peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	SiCFET (Silicon Carbide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	1700 V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) a 25 ° C	3A (Tc)
Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On)	20V
Rds ligado (máx.) @ Id, Vgs	1.2Ohm @ 2A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 2mA
Carga do portão (Qg) (máx.) @ Vgs	-
Vgs (máx.)	+20V, -10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	139 pF @ 1000 V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	54W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivo do fornecedor	TO-263-7
Embalagem / Caixa	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

OPÇÕES DE COMPRA

Status do estoque: 6

Mínimo: 1

Quantidade	Preço unitário	Ramal Preço
Preço não disponível, RFQ

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