STH360N4F6-2

Número da peça do fabricante:	STH360N4F6-2
Fabricante:	STMicroelectronics
Parte da descrição:	MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-2
Folhas de dados:	STH360N4F6-2 Folhas de dados
Status livre de chumbo / Status RoHS:	Chumbo Livre / Compatível com RoHS
Condição de estoque:	Em estoque
Vindo de:	Hong Kong
Forma de Remessa:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

OBSERVAÇÃO: STMicroelectronics # C1 # está disponível em chipnets.com. Nós apenas vendemos peças novas e originais e oferecemos 1 ano de garantia. Se você deseja saber mais sobre os produtos ou aplicar um preço mais melhor, entre em contato conosco clicando no Chat Online ou envie-nos um orçamento.

Todos os componentes Eelctronics serão embalados com muita segurança por proteção antiestática ESD.

package

Especificação

Modelo	Descrição
Series	DeepGATE™, STripFET™ VI
Pacote	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Status da peça	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	40 V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) a 25 ° C	180A (Tc)
Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds ligado (máx.) @ Id, Vgs	1.25mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (máx.) @ Vgs	340 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	17930 pF @ 25 V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	300W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivo do fornecedor	H2Pak-2
Embalagem / Caixa	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

OPÇÕES DE COMPRA

Status do estoque: Envio no mesmo dia

Mínimo: 1

Quantidade	Preço unitário	Ramal Preço
Preço não disponível, RFQ

Cálculo de frete

US $ 40 pela FedEx.

Chegue em 3-5 dias

Expresso: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Frete grátis nos primeiros 0,5 kg para pedidos acima de $ 150, o excesso de peso será cobrado separadamente

Modelos populares

Este item foi adicionado ao seu carrinho.