RS1E200BNTB

Número da peça do fabricante:	RS1E200BNTB
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Parte da descrição:	MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
Folhas de dados:	RS1E200BNTB Folhas de dados
Status livre de chumbo / Status RoHS:	Chumbo Livre / Compatível com RoHS
Condição de estoque:	Em estoque
Vindo de:	Hong Kong
Forma de Remessa:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificação

Modelo	Descrição
Series	-
Pacote	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Status da peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	30 V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) a 25 ° C	20A (Ta)
Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds ligado (máx.) @ Id, Vgs	3.9mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (máx.) @ Vgs	59 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	3100 pF @ 15 V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	3W (Ta), 25W (Tc)
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivo do fornecedor	8-HSOP
Embalagem / Caixa	8-PowerTDFN

OPÇÕES DE COMPRA

Status do estoque: 374

Mínimo: 1

Quantidade	Preço unitário	Ramal Preço
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