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STMicroelectronics / SCTH90N65G2V-7

SCTH90N65G2V-7

Número da peça do fabricante: SCTH90N65G2V-7
Fabricante: STMicroelectronics
Parte da descrição: SICFET N-CH 650V 90A H2PAK-7
Status livre de chumbo / Status RoHS: Chumbo Livre / Compatível com RoHS
Condição de estoque: Em estoque
Vindo de: Hong Kong
Forma de Remessa: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
OBSERVAÇÃO
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package

Especificação
Modelo Descrição
Series-
PacoteTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Status da peçaActive
Tipo FETN-Channel
TecnologiaSiCFET (Silicon Carbide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)650 V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) a 25 ° C90A (Tc)
Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On)18V
Rds ligado (máx.) @ Id, Vgs26mOhm @ 50A, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (máx.) @ Vgs157 nC @ 18 V
Vgs (máx.)+22V, -10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds3300 pF @ 400 V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)330W (Tc)
Temperatura de operação-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de dispositivo do fornecedorH2PAK-7
Embalagem / CaixaTO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
OPÇÕES DE COMPRA

Status do estoque: 873

Mínimo: 1

Quantidade Preço unitário Ramal Preço

Preço não disponível, RFQ

Cálculo de frete

US $ 40 pela FedEx.

Chegue em 3-5 dias

Expresso: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Frete grátis nos primeiros 0,5 kg para pedidos acima de $ 150, o excesso de peso será cobrado separadamente

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