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Conectores, interconexões
IR (Infineon Technologies) / IPB79CN10N G
A imagem é para referência, entre em contato conosco para obter a imagem real
IPB79CN10N G
| Número da peça do fabricante: | IPB79CN10N G |
| Fabricante: | IR (Infineon Technologies) |
| Parte da descrição: | MOSFET N-CH 100V 13A D2PAK |
| Folhas de dados: | IPB79CN10N G Folhas de dados |
| Status livre de chumbo / Status RoHS: | Chumbo Livre / Compatível com RoHS |
| Condição de estoque: | Em estoque |
| Vindo de: | Hong Kong |
| Forma de Remessa: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- OBSERVAÇÃO
- IR (Infineon Technologies) # C1 # está disponível em chipnets.com. Nós apenas vendemos peças novas e originais e oferecemos 1 ano de garantia. Se você deseja saber mais sobre os produtos ou aplicar um preço mais melhor, entre em contato conosco clicando no Chat Online ou envie-nos um orçamento.
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Especificação
| Modelo | Descrição |
|---|---|
| Series | OptiMOS™ |
| Pacote | Tape & Reel (TR) |
| Status da peça | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 100 V |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) a 25 ° C | 13A (Tc) |
| Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds ligado (máx.) @ Id, Vgs | 79mOhm @ 13A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 12µA |
| Carga do portão (Qg) (máx.) @ Vgs | 11 nC @ 10 V |
| Vgs (máx.) | ±20V |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 716 pF @ 50 V |
| Recurso FET | - |
| Dissipação de energia (máx.) | 31W (Tc) |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote de dispositivo do fornecedor | D²PAK (TO-263AB) |
| Embalagem / Caixa | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
OPÇÕES DE COMPRA
Status do estoque: Envio no mesmo dia
Mínimo: 1
| Quantidade | Preço unitário | Ramal Preço |
|---|---|---|
Preço não disponível, RFQ |
||
Cálculo de frete
US $ 40 pela FedEx.
Chegue em 3-5 dias
Expresso: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Frete grátis nos primeiros 0,5 kg para pedidos acima de $ 150, o excesso de peso será cobrado separadamente
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