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IR (Infineon Technologies) / IPD60N10S4L12ATMA1

IPD60N10S4L12ATMA1

Número da peça do fabricante: IPD60N10S4L12ATMA1
Fabricante: IR (Infineon Technologies)
Parte da descrição: MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3
Folhas de dados: IPD60N10S4L12ATMA1 Folhas de dados
Status livre de chumbo / Status RoHS: Chumbo Livre / Compatível com RoHS
Condição de estoque: Em estoque
Vindo de: Hong Kong
Forma de Remessa: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
OBSERVAÇÃO
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package

Especificação
Modelo Descrição
SeriesAutomotive, AEC-Q101, HEXFET®
PacoteTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Status da peçaActive
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)100 V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) a 25 ° C60A (Tc)
Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds ligado (máx.) @ Id, Vgs12mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.1V @ 46µA
Carga do portão (Qg) (máx.) @ Vgs49 nC @ 10 V
Vgs (máx.)±16V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds3170 pF @ 25 V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)94W (Tc)
Temperatura de operação-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de dispositivo do fornecedorPG-TO252-3-313
Embalagem / CaixaTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
OPÇÕES DE COMPRA

Status do estoque: Envio no mesmo dia

Mínimo: 1

Quantidade Preço unitário Ramal Preço

Preço não disponível, RFQ

Cálculo de frete

US $ 40 pela FedEx.

Chegue em 3-5 dias

Expresso: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Frete grátis nos primeiros 0,5 kg para pedidos acima de $ 150, o excesso de peso será cobrado separadamente

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