Vishay / Siliconix / SI2369DS-T1-GE3
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SI2369DS-T1-GE3
| Número da peça do fabricante: | SI2369DS-T1-GE3 |
| Fabricante: | Vishay / Siliconix |
| Parte da descrição: | MOSFET P-CH 30V 7.6A TO236 |
| Folhas de dados: | SI2369DS-T1-GE3 Folhas de dados |
| Status livre de chumbo / Status RoHS: | Chumbo Livre / Compatível com RoHS |
| Condição de estoque: | Em estoque |
| Vindo de: | Hong Kong |
| Forma de Remessa: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- OBSERVAÇÃO
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Especificação
| Modelo | Descrição |
|---|---|
| Series | TrenchFET® |
| Pacote | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
| Status da peça | Active |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30 V |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) a 25 ° C | 7.6A (Tc) |
| Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds ligado (máx.) @ Id, Vgs | 29mOhm @ 5.4A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Carga do portão (Qg) (máx.) @ Vgs | 36 nC @ 10 V |
| Vgs (máx.) | ±20V |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1295 pF @ 15 V |
| Recurso FET | - |
| Dissipação de energia (máx.) | 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote de dispositivo do fornecedor | TO-236 |
| Embalagem / Caixa | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Status do estoque: 13681
Mínimo: 1
| Quantidade | Preço unitário | Ramal Preço |
|---|---|---|
Preço não disponível, RFQ |
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Cálculo de frete
US $ 40 pela FedEx.
Chegue em 3-5 dias
Expresso: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Frete grátis nos primeiros 0,5 kg para pedidos acima de $ 150, o excesso de peso será cobrado separadamente
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