SI7119DN-T1-GE3

Número da peça do fabricante:	SI7119DN-T1-GE3
Fabricante:	Vishay / Siliconix
Parte da descrição:	MOSFET P-CH 200V 3.8A PPAK1212-8
Folhas de dados:	SI7119DN-T1-GE3 Folhas de dados
Status livre de chumbo / Status RoHS:	Chumbo Livre / Compatível com RoHS
Condição de estoque:	Em estoque
Vindo de:	Hong Kong
Forma de Remessa:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificação

Modelo	Descrição
Series	TrenchFET®
Pacote	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Status da peça	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	200 V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) a 25 ° C	3.8A (Tc)
Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds ligado (máx.) @ Id, Vgs	1.05Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (máx.) @ Vgs	25 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	666 pF @ 50 V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	3.7W (Ta), 52W (Tc)
Temperatura de operação	-50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivo do fornecedor	PowerPAK® 1212-8
Embalagem / Caixa	PowerPAK® 1212-8

OPÇÕES DE COMPRA

Status do estoque: 3003

Mínimo: 1

Quantidade	Preço unitário	Ramal Preço
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