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IR (Infineon Technologies) / IMBG120R140M1HXTMA1

IMBG120R140M1HXTMA1

Número da peça do fabricante: IMBG120R140M1HXTMA1
Fabricante: IR (Infineon Technologies)
Parte da descrição: TRANS SJT N-CH 1.2KV 18A TO263
Folhas de dados: IMBG120R140M1HXTMA1 Folhas de dados
Status livre de chumbo / Status RoHS: Chumbo Livre / Compatível com RoHS
Condição de estoque: Em estoque
Vindo de: Hong Kong
Forma de Remessa: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
OBSERVAÇÃO
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package

Especificação
Modelo Descrição
SeriesCoolSiC™
PacoteTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Status da peçaActive
Tipo FETN-Channel
TecnologiaSiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)1.2 kV
Corrente - Drenagem Contínua (Id) a 25 ° C18A (Tc)
Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds ligado (máx.) @ Id, Vgs189mOhm @ 6A, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id5.7V @ 2.5mA
Carga do portão (Qg) (máx.) @ Vgs13.4 nC @ 18 V
Vgs (máx.)+18V, -15V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds491 pF @ 800 V
Recurso FETStandard
Dissipação de energia (máx.)107W (Tc)
Temperatura de operação-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de dispositivo do fornecedorPG-TO263-7-12
Embalagem / CaixaTO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
OPÇÕES DE COMPRA

Status do estoque: 932

Mínimo: 1

Quantidade Preço unitário Ramal Preço

Preço não disponível, RFQ

Cálculo de frete

US $ 40 pela FedEx.

Chegue em 3-5 dias

Expresso: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Frete grátis nos primeiros 0,5 kg para pedidos acima de $ 150, o excesso de peso será cobrado separadamente

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