Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation / TK100L60W,VQ
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TK100L60W,VQ
| Número da peça do fabricante: | TK100L60W,VQ |
| Fabricante: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| Parte da descrição: | MOSFET N-CH 600V 100A TO3P |
| Folhas de dados: | TK100L60W,VQ Folhas de dados |
| Status livre de chumbo / Status RoHS: | Chumbo Livre / Compatível com RoHS |
| Condição de estoque: | Em estoque |
| Vindo de: | Hong Kong |
| Forma de Remessa: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- OBSERVAÇÃO
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| Modelo | Descrição |
|---|---|
| Series | DTMOSIV |
| Pacote | Tube |
| Status da peça | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 600 V |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) a 25 ° C | 100A (Ta) |
| Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds ligado (máx.) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 50A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.7V @ 5mA |
| Carga do portão (Qg) (máx.) @ Vgs | 360 nC @ 10 V |
| Vgs (máx.) | ±30V |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 15000 pF @ 30 V |
| Recurso FET | Super Junction |
| Dissipação de energia (máx.) | 797W (Tc) |
| Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Pacote de dispositivo do fornecedor | TO-3P(L) |
| Embalagem / Caixa | TO-3PL |
Status do estoque: 66
Mínimo: 1
| Quantidade | Preço unitário | Ramal Preço |
|---|---|---|
Preço não disponível, RFQ |
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US $ 40 pela FedEx.
Chegue em 3-5 dias
Expresso: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Frete grátis nos primeiros 0,5 kg para pedidos acima de $ 150, o excesso de peso será cobrado separadamente
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