R6030ENZ1C9

Número da peça do fabricante:	R6030ENZ1C9
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Parte da descrição:	MOSFET N-CH 600V 30A TO247
Folhas de dados:	R6030ENZ1C9 Folhas de dados
Status livre de chumbo / Status RoHS:	Chumbo Livre / Compatível com RoHS
Condição de estoque:	Em estoque
Vindo de:	Hong Kong
Forma de Remessa:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificação

Modelo	Descrição
Series	-
Pacote	Tube
Status da peça	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	600 V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) a 25 ° C	30A (Tc)
Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds ligado (máx.) @ Id, Vgs	130mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (máx.) @ Vgs	85 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2100 pF @ 25 V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	120W (Tc)
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de dispositivo do fornecedor	TO-247
Embalagem / Caixa	TO-247-3

OPÇÕES DE COMPRA

Status do estoque: 93

Mínimo: 1

Quantidade	Preço unitário	Ramal Preço
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