STB18NM60ND

Número da peça do fabricante:	STB18NM60ND
Fabricante:	STMicroelectronics
Parte da descrição:	MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
Folhas de dados:	STB18NM60ND Folhas de dados
Status livre de chumbo / Status RoHS:	Chumbo Livre / Compatível com RoHS
Condição de estoque:	Em estoque
Vindo de:	Hong Kong
Forma de Remessa:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificação

Modelo	Descrição
Series	FDmesh™ II
Pacote	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Status da peça	Not For New Designs
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	600 V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) a 25 ° C	13A (Tc)
Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds ligado (máx.) @ Id, Vgs	290mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (máx.) @ Vgs	34 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±25V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1030 pF @ 50 V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	110W (Tc)
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivo do fornecedor	D2PAK
Embalagem / Caixa	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

OPÇÕES DE COMPRA

Status do estoque: Envio no mesmo dia

Mínimo: 1

Quantidade	Preço unitário	Ramal Preço
Preço não disponível, RFQ

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