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Rochester Electronics / IPB160N04S3H2ATMA1
A imagem é para referência, entre em contato conosco para obter a imagem real
IPB160N04S3H2ATMA1
| Número da peça do fabricante: | IPB160N04S3H2ATMA1 |
| Fabricante: | Rochester Electronics |
| Parte da descrição: | OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET |
| Folhas de dados: | IPB160N04S3H2ATMA1 Folhas de dados |
| Status livre de chumbo / Status RoHS: | Chumbo Livre / Compatível com RoHS |
| Condição de estoque: | Em estoque |
| Vindo de: | Hong Kong |
| Forma de Remessa: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- OBSERVAÇÃO
- Rochester Electronics # C1 # está disponível em chipnets.com. Nós apenas vendemos peças novas e originais e oferecemos 1 ano de garantia. Se você deseja saber mais sobre os produtos ou aplicar um preço mais melhor, entre em contato conosco clicando no Chat Online ou envie-nos um orçamento.
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Especificação
| Modelo | Descrição |
|---|---|
| Series | OptiMOS™ |
| Pacote | Bulk |
| Status da peça | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 40 V |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) a 25 ° C | 160A (Tc) |
| Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds ligado (máx.) @ Id, Vgs | 2.1mOhm @ 80A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 150µA |
| Carga do portão (Qg) (máx.) @ Vgs | 145 nC @ 10 V |
| Vgs (máx.) | ±20V |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 9.6 pF @ 25 V |
| Recurso FET | - |
| Dissipação de energia (máx.) | 214W (Tc) |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote de dispositivo do fornecedor | PG-TO263-7-3 |
| Embalagem / Caixa | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
OPÇÕES DE COMPRA
Status do estoque: 1000
Mínimo: 1
| Quantidade | Preço unitário | Ramal Preço |
|---|---|---|
Preço não disponível, RFQ |
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Cálculo de frete
US $ 40 pela FedEx.
Chegue em 3-5 dias
Expresso: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Frete grátis nos primeiros 0,5 kg para pedidos acima de $ 150, o excesso de peso será cobrado separadamente
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